Используйте процесс химического осаждения из паровой фазы, данное построить тонкий слой металла / диэлектрика на кремниевой пластине.
ХОП Газ RXN
SiH4 + 2O2 = SiO 2 + 2H2O
Использование термодинамических данных с сайта kinetics.nist.gov NIST. Определение температуры и давления для производства 100 микрон SiO2 на кремниевой подложке.
Выбор реактора для проведения осаждения.
Используйте следующий пример для расчета коэффициентов массопереноса.
http://i.imgur.com/HX04nB9.png
Удачи!